国金证券认为,2010年将是华微电子(600360)基本面发生改变的第一年,随着功率市场繁荣,华微电子未来业绩将区得高速的增长。而以IGBT为代表的新一代功率器件的突破更提升其投资价值,成为目前功率器件投资最桂标的。目前公司6寸MOSFET生产线已经获得良好的技术突破,已经能够生产出1200V/35A的IGBT器件,产量约为4000片/月,若算上VDMOS/D-MOS产品,该生产线月产已达10000片。
华微电子传统业务借助家电内需、节能灯市场繁荣而加速复苏。麦吉柯厂随着自销市场开拓提升其收入增长与利润增长。IGBT等中高端功率器件量产带来业绩增量。预测华微电子2010年度2012年EPS分别为0.26、0.40与0.57元。未来业绩仍有超预期可能。建议投资者积极配置。
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